マイクロカンチレバーに形成されたナノ探針で試料表面をスキャンし、
探針先端と試料表面との間に作用する原子間力（Atomic force)による
マイクロカンチレバーのたわみを計測し、表面の凹凸形状、粘弾性などを
画像化する装置です。分子レベルでの高解像度での表面観察が可能です。

EB描画装置（EB lithography)

加速電圧：50kV、電界放射型(FE-EB)、
20〜50nmのナノパターンの描画が可能

　(左側：両面マスクアライナ、右側：レーザー描画装置）

レーザー描画装置（Laser lithography）
レーザービームの直描により、フォトマスク・基板表面の
フォトレジストを露光し、微細パターン形成。
最小線幅1μm

縮小カメラ・簡易フォトマスク作製システム

赤ネガフィルムをNCカッティングして原図を作り、
縮小カメラで転写し、低コストで短時間での
フォトマスク乾板が作製可能(所要2〜３時間)。
最小線幅：約30μm。